吉林大學科研人員研究發(fā)現(xiàn)：高溫高壓溫度梯度法生長寶石級金剛石單晶的過程中，盡管處在金剛石穩(wěn)定區(qū)內(nèi)，卻經(jīng)常發(fā)現(xiàn)有亞穩(wěn)態(tài)的再結(jié)晶石墨存在。 該研究發(fā)現(xiàn)，作為一種晶體，大量再結(jié)晶石墨的析出和生長對寶石級金剛石單晶的生長速度有較為明顯的抑制作用，并且再結(jié)晶石墨更容易在較高溫度合成區(qū)內(nèi)出現(xiàn)。例如，使用NiMnCo觸媒進行寶石級金剛石單晶合成過程中，隨著合成溫度的提高，當大量多余碳源不再以金剛石自發(fā)核形式析出，而是以大量片狀再結(jié)晶石墨形式圍繞在晶體周圍時，晶體的生長速度有了大幅度的降低，從相對低溫時的約3.0mg／h降到較高溫度時的1.0mg／h。 當前摻硼金剛石是研究的熱點，但關(guān)于利用Fe70Ni30觸媒合成摻氧化硼的金剛石的文章卻不多。在實驗中將一定比例的氧化硼添加到石墨－Fe70Ni30粉末體系中并混合均勻，在六面頂壓機上利用高溫高壓合成摻氧化硼金剛石。實驗結(jié)果表明，添加一定量的氧化硼對金剛石的合成壓力和溫度的影響不大，但摻氧化硼合成的金剛石與不摻雜合成的金剛石在顏色和表面形貌上有很大的區(qū)別。 鉆石晶體有許多顯著的特征，但它并不適合傳導電流：已知由碳原子組成的棱錐狀晶格是絕緣體。但在近些年，通過一個叫做摻雜的步驟引進外來原子，也可以使鉆石導電。不過該方法較為耗時，效率不是很高。Erlangen－紐倫堡大學的實驗物理首席教授LotharLey博士與他的研究小組提出了另一種摻雜方法：在氫飽和的鉆石表面沉淀C60分子